某陶瓷基片制造商采用伯東  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應用于 5G 陶瓷基片銀薄膜減薄, 通過蝕刻工藝把基片涂層銀薄膜刻蝕減薄, 并降低工差, 提高薄膜均勻性.

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術參數

Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

推薦  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J  理由:

1. 客戶要求規模化生產,  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 適合大規模量產使用

2. 刻蝕均勻性 5%, 滿足客戶要求

3. 硅片刻蝕率 20 nm/min

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