南京某材料科學學院結合 SiO₂ 納米球掩膜與立柱刻蝕技術制備了結構呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 離子刻蝕機 10IBE 去除由荷能離子撞擊所帶來的損失層, 優化了多晶黑硅結構.

Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE  離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160

伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術參數：

Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 可以去除損傷層, 保持原有黑硅結構的基礎上使表面結構更加光滑.

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