LD600-12XUI 電力儀表 轄區小學配件 |
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價格:1 元(人民幣) | 產地:湖南 |
最少起訂量:1只 | 發貨地:湖南 | |
上架時間:2024-04-20 22:06:01 | 瀏覽量:142 | |
醴陵聯洲電器有限公司
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經營模式:貿易型 | 公司類型:私營有限責任公司 | |
所屬行業:電工儀器儀表 | 主要客戶: | |
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聯系人:李工 (先生) | 手機:18107416261 |
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![]() LD600-12XUI 電力儀表 轄區小學配件對于高壓器件(如前面提到的 DEMOS 和 LDMOS),漏極額定值可能遠高于柵極額定值(例如,漏極額定值為 20V,而柵極額定值僅為 3.3V) 因此,如圖所示的電路將無法工作,因為漏極和柵極基本上具有相同的電壓,從而導致柵極可靠性問題(圖 5) ![]() 拒絕空間管理挑戰,擺脫種種困局,在有限的空間內容納更多的功能組件,我的妙招就是 這種設計能大程度地減小連接器的占用空間,從而使控制器更小、更緊湊,滿足設備小型化設計需求的同時,確保為設備安全高效地傳輸配電 0156 和 0159 系列產品不僅省空間,更加節省接線時間 ![]() ![]() 閾值電壓VGS(th)遵循器件的物理原理,隨著溫度的升高而下降,如圖1右側所示 圖1:45 mΩ 1200 V CoolSiC#8482 MOSFET在室溫和175°C下的輸出特性(左)以及Ron和VGS(th)對溫度的依賴性(右) 圖1右側可見,CoolSiC#8482 ![]() ![]() MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統和電機驅動等工業應用 但與此同時,工程師也面臨著獨特的設計挑戰 實現更小的外形尺寸,同時保持功率變換系統的散熱性能,是相互矛盾的挑戰,但英飛凌創新的.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案 ![]() LD600-12XUI 電力儀表 轄區小學配件通常來說,在相同負載情況下,SiC技術比功率MOSFET和IGBT的損耗更低 這意味著該技術可以提高開關和載流效率,這些優勢在較高的中間電路電壓下大有可為 由于這些特性,SiC半導體特別適用于電池電壓和總儲能容量更高的電動汽車 由于SiC器件還能夠在更高的電壓下工作,因此可以實現車載充電解決方案,從而縮短充電時間,并降低總損耗 |
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