FIB/TEM制樣與分析服務

     廣電計量的資質能力處于行業*水平，截止至2021年12月31日，CNAS認可7166項，CMA認可59345個參數，CATL認可覆蓋 58個類別；在支撐各區域產業?質量發展過程中，廣電計量還獲得政府、行業及社會組織頒發的資質榮譽100余項。
我司集成電路檢測試驗可對包括晶圓、半導體器件提供微觀結構分析、材料形貌分析、膜層分析、成分分析等檢測分析服務。 

晶圓制造工藝分析：
1、14nm及以上制程芯片晶囿制造工藝分析
2、MOSFET制造工藝分析
3、存儲芯片制造工藝分析

芯片失效分析：
1、芯片失效點位置分析，包含漏電、短路、燒毀、異物等異常失效點位的平面制樣分析、截面制樣分析以及平面轉截面分析。
包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內。
2、芯片制造工藝缺陷分析，包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內。

芯片逆向分析：

1.芯片關鍵工藝結構剖析，包含尺寸量測、成分分析等。 

半導體器件失效分析 ：

1.MOSFET、VCSEL等半導體器件失效點位置分析，包含形貌觀察、尺寸量測、成分分析，可精準到1.0 nm以內。

芯片及半導體器件封裝工藝分析：

1.封裝工藝異常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布線層異常分析。 

半導體工藝分析：

1.刻蝕工藝、鍍膜工藝等半導體工藝分析 

材料分析：

1.材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子級高分辨分析等