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              KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag 薄膜
              KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射制 TiSiN-Ag 薄膜 價格:  元(人民幣) 產地:美國
              最少起訂量:1 發貨地:上海
              上架時間:2023-03-24 11:26:28 瀏覽量:172
              伯東企業(上海)有限公司  
              經營模式:代理商 公司類型:外商獨資
              所屬行業:真空泵 主要客戶:
                在線咨詢 跟我QQ洽談

              聯系方式

              聯系人: (先生) 手機:15201951076
              電話: 傳真:
              郵箱:marketing@hakuto-vacuum.cn 地址:上海市浦東新區新金橋路1888號36號樓7樓702室 201206

              詳細介紹

              為了研究 Ag 元素對 TiSiN 薄膜結構及性能的影響, 江蘇某大學課題組采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射法制備了不同 Ag 含量的 TiSiN-Ag 薄膜, 并采用EDS, XRD, XPS, TEM, CSM 納米壓痕儀, UMT-2 摩擦磨損儀和 BRUKER 三維形貌儀對薄膜的成分/ 微結構/ 力學性能和摩擦磨損性能進行了研究

               

              KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

              射頻離子源型號

              RFICP380

              Discharge 陽極

              射頻 RFICP

              離子束流

              >1500 mA

              離子動能

              100-1200 V

              柵極直徑

              30 cm Φ

              離子束

              聚焦, 平行, 散射

              流量

              15-50 sccm

              通氣

              Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

              典型壓力

              < 0.5m Torr

              長度

              39 cm

              直徑

              59 cm

              中和器

              LFN 2000

               

              Ti N 薄膜是金屬氮化物的代表性材料,具有硬度高/ 耐摩擦/ 化學穩定性強等優點, 作為工模具耐磨涂層已得到了廣泛的應用, 但其硬度和抗氧化性能有待進一步加強. 向 Ti N 中添加 Si 元素, 形成的 Ti-Si N 薄膜硬度是 Ti N 薄膜的 2 倍, 當 Si 含量為 21.28% 時 Ti Si N 薄膜的氧化溫度為800℃, 高于 Ti N 薄膜的 300℃, 但其摩擦系數在 0.65 左右, 摩擦性能需要進一步提高.  Ag和Au等貴金屬在室溫和中溫范圍內具有良好的潤滑性, Ag 摻入耐磨涂層中可以改善其摩擦磨損性能.  

               

              KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

               

              若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

              上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
              T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
              F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
              M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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