因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
KRi 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:
|
陽極
|
電感耦合等離子體
2kW & 2 MHz
射頻自動匹配
|
|
最大陽極功率
|
>1kW
|
|
最大離子束流
|
> 1000mA
|
|
電壓范圍
|
100-1200V
|
|
離子束動能
|
100-1200eV
|
|
氣體
|
Ar, O2, N2, 其他
|
|
流量
|
5-50 sccm
|
|
壓力
|
< 0.5mTorr
|
|
離子光學, 自對準
|
OptiBeamTM
|
|
離子束柵極
|
22cm Φ
|
|
柵極材質
|
鉬
|
|
離子束流形狀
|
平行,聚焦,散射
|
|
中和器
|
LFN 2000, MHC 1000
|
|
高度
|
30 cm
|
|
直徑
|
41 cm
|
|
鎖緊安裝法蘭
|
10”CF
|
KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射頻離子源 RFICP 220 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
射頻離子源 RFICP 220 集成于半導體設備, 實現 8寸芯片蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產寬束離子源, 根據設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!
|
在線咨詢 
