在進行鍍膜等工藝之前, 對原樣品的表面平整度/潔凈程度等參數會有不同的要求. 對于不達標的樣品需要進行前處理, KRI霍爾離子源可以很好的解決這類的問題.

應用KRI霍爾離子源可以在低功耗的情況下進行大電流的工作, 很好的處理樣品的清潔度/和平整度; 可以根據不同的工藝要求來控制樣品表面的光滑/粗糙程度; 一致且可靠地去除表面污染物, 以暴露原始基材, 達到清洗前處理的作用.

穩定工藝并提高產品產量. KRI離子源清洗在在真空室中進行, 基板表面清潔后可以立即沉積, 短停留時間暴露于真空背景清潔并活化基材表面比輝光放電更清潔, 生產率更高; 無需基板偏置/無需高壓, 消除了大多數腔室壁的濺射, 沒有額外的抽空, 很好地提高了整體工藝的效率與質量.

中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司客戶選用KRI EH1000型霍爾離子源組裝磁控濺射設備對聚氨酯類的材料進行清洗前處理.

離子源清洗樣品的示意圖：

KRI 霍爾離子源 eH 1000 特性:

? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極

? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便; 無需水冷

? 高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 1000 技術參數:

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

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