富士電機自創業以來已有90余年，在這悠久的歷史中，富士電機不斷革新能源技術，在產業和社會領域中為世界作出巨大貢獻。中國與富士電機的淵源由來已久，可追溯至1965年在四川省射洪縣引進中國首例的閥門水輪發電機。 如今，地球正因前所未有的人口激增和工業化的急速發展，面臨著各種各樣的能源問題和環境問題。即便是已經擁有全球性經濟規模，每年保持快速增長的中國，也日益重視如何構筑一個環保和節能雙贏的和諧社會這一課題。 

IGBT的主要I-V特性：

IGBT你既可以把它當做一個MOSFET與PiN二極管串聯，也可以當做是一個寬基區的PNP被MOSFET驅動(Darlington結構)， 前者可以用來理解它的特性，后者才是他的原理。它看起來就是一個MOSFET的I-V曲線往后挪了一段(>0.7V)，因為溝道開啟產生電流必須滿足漂移區電流與漂移區電阻乘積超過0.7V，才能使得P+襯底與N-drift的PN結正向導通，這樣才可以work，否則溝道開啟也不能work的。

最后給大家吹吹牛吧，大家經常會聽到第一代IGBT一直到第六代IGBT，這些是什么意思呢？

1) 第一代：他就是IGBT的雛形，最簡單的原理結構圖那種，所以他必須要提高N-drift來提高耐壓，所以導通電阻和關斷功耗都比較高，所以沒有普及使用。

2) 第二代：PT-IGBT，由于耗盡層不能穿透N+緩沖層，所以基區電場加強呈梯形分布，所以可以減小芯片厚度從而減小功耗。這主要是西門子公司1990~1995年的產品BSM150GB120DN1("DN1"就是第一代的意思)。它主要在600V上有優勢(類似GTR特性)，到1200V的時候遇到外延厚度大成本高、且可靠性低的問題(摻雜濃度以及厚度的均勻性差)。

3)第三代：NPT-IGBT，不再采用外延技術，而是采用離子注入的技術來生成P+集電極(透明集電極技術)，可以精準的控制結深而控制發射效率盡可能低，增快載流子抽取速度來降低關斷損耗，可以保持基區原有的載流子壽命而不會影響穩態功耗，同時具有正溫度系數特點，所以技術比較成熟在穩態損耗和關斷損耗間取得了很好的折中，所以被廣泛采用。代表公司依然是西門子公司率先采用FZ(區熔法)代替外延的批量產品，代表產品BSM200GB120DN2，VCE>1200V, Vce(sat)=2.1V。

4)第四代：Trench-IGBT，最大的改進是采用Trench結構，是的溝道從表面跑到了垂直面上，所以基區的PIN效應增強，柵極附近載流子濃度增大，從而提高了電導調制效應減小了導通電阻，同時由于溝道不在表面，所以消除了JFET效應，所以柵極密度增加不受限制，而且在第四代IGBT繼續沿用了第三代的集電極P+implant技術同時加入了第二代的PT技術作為場終止層，有效特高耐壓能力等。需要使用雙注入技術，難度較大。這個時候是英飛凌的時代 了，Infineon的減薄技術世界第一，它的厚度在1200V的時候可以降低到120um~140um(NPT-IGBT需要200um)，甚至在600V可以降低到70um。

5)第五代：FS-IGBT和第六代的FS-Trench，第五、第六代產品是在IGBT經歷了上述四次技術改進實踐后對各種技術措施的重新組合。第五代IGBT是第四代產品“透明集電區技術”與“電場中止技術”的組合。第六代產品是在第五代基礎上改進了溝槽柵結構，并以新的面貌出現。

目前我國的總體能源利用效率為33%左右，比發達國家低約10個百分點。當前我國節能工作面臨較大壓力。

根據“十一五規劃”要求，到2010年中國的能源使用效率將在2005年基礎上提高20%。在新能源領域，中國已成為太陽能電池生產的第一大國，風力發電的累計裝機容量也連續4年實現翻番，這意味著中國新能源市場蘊藏著巨大的商機。無論是太陽能電池、風力發電還是新能源汽車，其系統應用都需要把直流電轉換為交流電，承擔這一任務的部件稱為逆變器。逆變器的核心器件是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，也是價格最高的部件之一，在國外，IGBT技術及產品不斷更新換代，而我國目前還不具備大批量生產IGBT的能力，主要都是珠海南車、北車生產的用于高鐵的IGBT技術，還有華潤微電子(想收購Fairchild)，還有華宏宏力貌似也有，現在國家重點扶持8寸的IGBT技術。

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