FUJI富士電機作為IGBT硅片生產領先廠家,最早將IGBT模塊引入中國。經過十幾年的不斷發展,半導體器件已在國內UPS、電鍍電源、變頻器領域得到了廣泛應用，已成為經典使用器件。北京一祥聚輝科貿有限公司 主要經營產品為國際知名品牌的元器件產品，目前經銷產品：富士IGBT模塊、LEM傳感器、英飛凌IGBT，西門康IGBT，bussmann熔斷器、LS產電產品等等，并根據客戶的需求不斷完善我們的產品線。

      IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件，電力電子裝置“CPU”，在全球能源領域大變革浪潮中的地位越來越重要。但目前國內IGBT市場基本由英飛凌、富士、三菱等國外公司壟斷。從2017年下半年IGBT缺貨的苗頭就已經顯現出來了，IGBT各大品牌的供應商紛紛向采購商和客戶發出通知并要求其做好需求計劃，以保證后期供貨。目前富士IGBT模塊正在量產當中，符合歐盟ROhs指令，適用于汽車電子。

      IGBT 模塊的特性：下面以 6MBI100VB-120-50 (6in1，1200V/100A，第 6 代 IGBT 模塊) 為例，對規格書中記載的關于 IGBT 的種種特性進行說明。

靜態特性：以 V 系列的 IGBT：6MBI100VB-120-50 為例， VCE-IC 特性(一般稱為輸出特性)的 VGE 依存性如圖 2-1、 圖 2-2 所示。因為該特性表示 IGBT 在導通狀 態下集電極-發射極電壓(VCE)和集電極電流(IC)的 關系，所以形成了在導通狀態下IGBT中發生的損耗。 然而，雖然 VCE越低，產生的損耗就越小，但是由于 該特性會隨著結溫(Tj)和 VGE的變化而變化，因此， 請在充分考慮該特性的前提下進行裝置的設計。 一般情況下，推薦在 VGE＝15V 時，裝置的最大 輸出電流小于等于元件的標稱額定電流值的情況下 使用。 另外,圖2-3是將圖2-1中的數據轉化成VCE‐VGE 特性的 IC依存性的曲線圖�？梢詮闹锌闯� VCE(損耗) 急劇增加到極限時的 VGE的大體標準值。 

    富士IGBT模塊型號2MBI1400VXB-170P-54原裝有現貨,其他型號如2MBI1000VXB-170E-54   2MBI1400VXB-120P-54   2MBI450VN-170-50    2MBI600VN-170P-50    2MBI150VA-120-50   2MBI650VXA-170E-54    2MBI800XNE-120等也都有現貨。 我們通過多年的積累，已經具備了豐富的市場推廣和銷售運作經驗，我們有技術服務支持提供給客戶售前售中和售后支持。
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