賽特蓄電池BT-HSE-70-12 12V70AH產品詳細規格價格

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功能特點：
1、鉛無鈣多元合金板柵、涂高成型的電極板：大容量、自放電小、析氣小、壽命長。
2、鉛錫多元金匯流排：內阻小、耐腐蝕、能經受長期浮充試用。
3先進的ACM隔離板：將電解液盡量吸收、不留游離液體、順利完成氣體陰極吸收。
4、ABS工程塑料外殼：牢固、耐老化。
5、硅氟橡膠密封帽：安全、防爆。
6、銅基鍍銀端子：解觸電阻小、不生銹。
7、分析純電解析：自放電小。獨特配方：深放電恢復性能好。
8、鉛銻接線端子：接觸電阻小、耐腐蝕、壽命長。
賽特閥控式鉛酸（VRLA）蓄電池完全滿足通訊和電力應用領域的不同需要。賽特蓄電池的先進設計理念可確保其壽命更長、放電性能穩定和應用廣泛的特點，以滿足任何電源系統的需要（電池容量：1.3至1000Ah）。賽特發揮其豐富的制造經驗和獨具創新的閥控式鉛酸（VRLA）技術，使BT HSE系列產品成為通訊領域及多用途備用電源的代表及標志。
精巧的制造技術、徹底的品質檢測：

• 氬孤焊接極柱，確保最佳密封效能
• 全自動氦泄露檢測設備，可確保蓄電池密封的完整性
• 電腦控制的“重量灌液”程序，可確保每個蓄電池內電解液分配的準確性
• 自動極板疊裝設備，可確保部件生產的高效性和一致性
• 每一節蓄電池產品于出廠前必須通過容量、電壓及內阻測試
完美的設計：
• “菱形側壁”專利設計，可確保結構的完整性
• 聚丙烯外殼及封蓋，經久耐用。阻燃型設計，完全符合UL94V －028 ％L.O.I 技術要求
• 高壓縮玻璃棉吸液式（AGM ）技術，復合效率超過99 ％
• 內藏防爆裝置，采用超聲波焊接技術加裝在蓄電池蓋上，可為蓄電池提供安全可靠的保護
應用范圍：
電信領域：無線通訊、蜂窩網絡（PCS,CDMA,GSM… ）
電力領域：電力控制、直流屏
資訊領域：寬帶網、IDC

2016年6月2日,TOP500組織在法蘭克福世界超算大會上運算速度全球第一的“神威•太湖之光”正式發布,成為世界上首臺運算速度超過十億億次的超級計算機,如圖1所示。讀者可以想到“神威•太湖之光”身后及兩側的大柜子里面是些什么?可充電電池組估計是少不了的,高檔的不間斷電源(UPS)也是必須的。
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“神威•太湖之光”的上一代國產超級計算機是“天河二號”。2014年7月23日3kW高性能超級計算機電源項目,通過中國電子學會科技成果鑒定。這是為“天河二號”超級計算機定制的電源,該項目定名為“CDM3000”,與國際同類型電源技術參數對比全面領先(見表1),處于國際先進水平。

中國長城電腦公司自主知識產權的創新產品CDM3000獲得中國科技進步二等獎,具備I2C/PMBus的數據通訊協議智能化管理,還具有多種快速響應異常保護功能。

2016年6月的“神威•太湖之光”超越“天河二號”數倍的容量和更快的速度,倒逼為之配套的UPS創新,才能適應高端需方市場的需求。

2 從“中國電源學會2016年GaN杯大賽”的技術指標看電功效率95%!

“中國電源學會2016年GaN杯大賽”的技術指標如下:

(1)統一起跑錢:大賽指定并贈送最新一代氮化鎵(GaN)電力電子開關,其中高壓管(650V、7A)為GS66502B和低壓管(100V、40A)為GS61004B;

(2)隔離式,安全耐壓2kV/1min;

(3)直流輸入電源300～400VDC;

(4)輸入電流紋波小于50mA;

(5)輸出直流單路12VDC、16.7A;

(6)輸出電壓紋波小于200mV;

(7)功率密度指標:每立方英寸10W以上;

(8)低成本指標:PCB不超過4層,無風冷、無水冷,40℃環境溫度自然散熱;

(9)電功效率(Eff)指標達到95%以上。

由于輸入直流電源300～400VDC,不必考慮APFC問題。對比前述“CDM3000”的電功效率94.5%而言,中國電源學會2016年GaN杯大賽旨在推廣最新一代GaN電力電子開關,并力求電功效率超過95%為門檻,帶動當代大學生用洪荒之力創新出優異的開關電源。

廣西大學電氣工程學院開放“創新實驗室”作為2016年GaN杯大賽DIY夏令營,組織在校學生三支隊伍參賽,其中一個隊伍獲得參加全國決賽出線權。夏令營之后申報兩項以上的發明專利,撰寫多篇關于GaN杯大賽的論文。

3 UPS創新的發展方向

(1)可靠性第一

據國際軍工電子電源的故障統計如下:

①電源故障的三分之一因電力電子開關出問題;

②電源故障的四分之一因電解電容出問題;

③電源故障的五分之一因光耦及集成電路出問題;

④電源故障的六分之一因PCB與散熱結構出問題;
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⑤電阻、固體電容、電感、變壓器與接插件等,故障率低而且隨機分散性,通常用供貨商訂單協議來解決。

中國電源學會2016年GaN杯大賽贈送最新一代氮化鎵(GaN)電力電子開關管,就是針對上述可靠性的主要矛盾,有的放矢解決電力電子開關問題而為之。

(2)電功效率Eff95%門檻,是挑戰,也是機遇

為什么“天河二號”世界第一的國產超級計算機配套的電源CDM3000只獲得二等獎,而不是一等獎呢?也許是電功效率Eff還沒有過95%的門檻。這也或許是“中國電源學會2016年GaN杯大賽”技術指標要求Eff達到95%以上的原因,這就意味著UPS創新的電功效率門檻必須是在95%以上。

(3)“功率密度”的指標要實事求是前面指出“可靠性第一”是硬指標,又提到“電功效率95%”門檻難過但必須跨越。而“功率密度”指標，須從訂單要求與價格上實事求是實施。

舉例說：航空、航天、潛艇、導彈、衛星等對體積嚴格要求、價格較為寬松的訂單，考慮用鎳基鐵氧體平面磁芯，用鍍銀平面繞組等特殊配件，工作頻率上限由磁性材料特性決定工作頻率MHz級以上，目的是縮小體積。

20kHZ至200kHz用錳基鐵氧體磁芯,成本比鎳基鐵氧體磁芯價格低,是目前開關電源主流高頻架構件,體積稍大一些。

20kHz左右的常用開關電源,還可以用非晶態磁芯,其導磁率較高,指定頻率范圍的體重損耗低于鐵氧體磁芯,在民用開關電源取代鐵氧體磁芯,總成本不高,既可取得較高的電功效率Eff,又能取得較輕的重量和較優的功率密度。

(4)開關電源拓撲的創新

傳統的CUK拓撲是非隔離式,且是單個電力電子開關的。通過用比較法推導出創新的“隔離式CUK并聯推挽拓撲”,如圖2所示。該拓撲克服了直流偏磁問題,實現了軟開關,特別是不再懼怕變壓器繞組的漏電感這棘手問題,具有創新創業可持續發展前景。

(5)重視“沖擊電流”的問題,進行創新

中國CDM3000電源的沖擊電流小于20A,比較世界一流的GE產品的沖擊電流40A而言少了一半,實屬難得。要創新更低沖擊電流的方案,廣西大學電氣工程學院團隊研發了“交流電源無橋式整流無電解電容的隔離式AC-AC拓撲”。

(6)倒逼UPS創新的“富礦”是“THD諧波能量化害為利”根據能量守恒定律,電功效率Eff提高的極艱是100%�，F在已有諸多千瓦級的開關電源論文報導,Eff己超過95%大關。如何百尺竿頭,更上一步呢?

建議把目光聚焦到“THD諧波能量化害為利”的研究課題上來。利用磁集成技術,把占THD諧波能量之中比重較大的若干個頻率,用LC串聯諧振方法,提取若干頻率的諧波能量,轉化為直流電能,回饋到開關電源內部。既有效降低THD指標,凈化了電源環境符合綠色生態原則,又化害為利,提升電功效率,一舉多得。

4 重視新一代半導體(GaN)的新器件產業化

現在政府和民間大量投資生產GaN芯片,按照半導體的“摩爾法則”,每18到24個月,半導體性能提升一倍,而成本下降一半。雖然目前GaN昂貴,但凡事預則立,要提前研發,為下一階段GaN降價時,大規模產業化做好前期準備。

(1)GaN的品質因數遠優于單晶硅Si

①Johnson品質因數

JMF傳統單晶硅Si如果JMF定義為1,則GaN的JMF為790。

②Baliga品質因數

BFOM傳統單晶硅Si如果定義為1,則GaN的BFOM為100。

基于上述品質因數對比,GaN比較傳統單晶硅半導體更適宜做高頻率耐高溫功率電力電子開關管。

(2)GaN的示意圖與特性簡介

(3)圖3分別為GaNE-HEMT、MOSFET、IGBT示意圖,對照GaNE-HEMT沒有寄生二極管,從本上克服MOSFET和IGBT寄生體二極管的“反向電荷貯存”的問題,這是GaNE-HEMT與傳統的MOSFET和IGBT最大的區別,也是GaNE-HEMT最明顯的優勢。

GaNE-HEMT逆向傳導有二極管特性受控Ugs,如圖4所示。

MOSFET和IGBT的體二極管是不受Ugs控制的,但沒有體二極管(PN結)的GaNE-HEMT的雙向導通是受Ugs控制的。GaN良好的特性使其必將在廣泛的領域得到應用。

5 結束語

(1)美國禁止向中國出口超級計算機芯片,妄圖中斷中國超級計算機“天河一號”和“天河二號”嬋聯世界超級計算機第一、第二名的可持續性,倒逼中國研制自主知識產權芯片,“神威•太湖之光”的自我持續超越和可持續發展,這必將引領全球UPS高端需方市場新的競爭。

(2)中國為“天河二號”配套的“CDM3000”電源與世界名牌電源對比各項指標全面勝出,從中也體現對高端UPS電源產業倒逼創新的壓力!

(3)新一代GaN半導體電力電子開關,有助于UPS高端產品的創新及創品牌的機遇。注意半導體“摩爾法則”,須笨鳥先飛,提前研發。賽特蓄電池BT-HSE-70-12 12V70AH產品詳細規格價格

(4)未來高端UPS創新將“高可靠性”和“電功效率”兩項硬指標,作為創新品牌主要渠道,同時性價比競爭還體現在“功率密度”(輕、薄、短、小)等項,適應市場不同用戶需求。