芯片特性：

1.介紹：

EN8F630 是低成本、高性能、8 位、全靜態flash 的CMOS 單片機。采用RISC 架構，僅有37 條單字/ 單周期指令。除程序跳轉指令為兩個周期外的所有其他指令都是單周期的。EN8F630 器件的性能比同價位的同類產品要高出很多。易于使用且便于記憶的指令集大大縮短了開發時間。

2.構架描述：

高性能RISC CPU：

? 采用RISC 架構，僅有37 條單指令

（除程序跳轉指令外的所有其他指令都是單周期指令,程序跳轉指令是雙周期指令）

? 8 級深的硬件堆棧

? 14 位寬指令集, 8 位寬的數據路徑

? 可擦寫flash 芯片，片內閃存（ROM）為1K 字，數據存儲容量（RAM）為64 字節

? EEPROM 大小為128 字節

? 數據和指令的直接、間接和相對尋址模式

? PA0~5 可睡眠喚醒，且可通過軟件獨立設置內部上拉

? 工作電壓2.0V~5.5V

? 有可選電源低壓檢測，欠壓復位功能（PED），三級欠壓復位

? 有中斷功能

? 定時器0：帶3 位預分頻器8Bit 定時器

? 定時器1：帶2 位預分頻器16Bit 定時器

? 1 個模擬比較器模塊

? 自振式看門狗定時器

? 12 個可獨立直接控制I/O 口

? 工作速度：內部4M/8M 振蕩器

單片機的特性：

? 上電復位（Power-on Reset,POR）

? 低電壓檢測(LVD)和欠壓復位(BOR)

? 上電復位（Power-on Reset,POR）

? 具有專用片內RC 振蕩器的看門狗定時器（WDT），能夠可靠地工作

? 代碼保護功能

? 獨立的可編程弱上拉功能

? 節省功耗的休眠模式

? 可選的振蕩器選項：

- IRC：4M/8MHz 內部振蕩器

- RC：廉價RC 震蕩器

- LFXT：低頻晶體振蕩器

- XTAL：標準晶體振蕩器

? 高耐久性的閃存/EEPROM 存儲單元

-閃存耐寫次數達到100,000 次

-EEPROM 耐寫次數達到1,000,000 次

-閃存/數據EEPROM 的數據保存期>40 年

低功耗特性CMOS 技術：

? 工作電流：

- 當頻率為32KHZ 時，典型值為8.5uA

- 當頻率為1MHz 時，典型值為100uA

? 待機電流：

- 2V 時典型值為1nA

? 看門狗定時器電流：

- 當電壓為2.0V 時，典型值為300nA

? TIMER1 振蕩器電流：

- 當頻率為32khz，電壓為2.0v 時，典型值為4uA

? 全靜態設計

? 寬工作電壓范圍：2.0V 到5.5V

外設功能：

? 12 個具有獨立方向控制功能的I/O 引腳：

- 1 個僅輸入的引腳

- 高灌/ 拉電流可直接驅動LED

? 模擬比較器模塊帶有：·

- 一個模擬比較器

- 片上可編程比較器參考電壓（CVREF）模塊

- 來自器件輸入引腳的可編程輸入復用

- 可外部訪問比較器輸出

? 具有8 位可編程預分頻器的8 位實時時鐘/計數器：（TMR0）

? 增強的Timer1：

- 帶有預分頻器的16 位定時器/ 計數器

- 外部選通輸入模式

- 如果已選用INTOSC 模式的話，那么在LP 模式中可選擇OSC1 和OSC2 作為Timer的振蕩器

 應用說明：

EN8F630 的應用范圍從發動機控制器，高速自動電機（電車）到低電源遙控發射、接收器，面向設備等