高導熱SiC單晶襯底切割服務支持4\/6\/8英寸晶片 |
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價格:1.00 元(人民幣) | 產地:福建廈門 |
最少起訂量:1 | 發貨地:福建廈門 | |
上架時間:2025-03-27 19:16:32 | 瀏覽量:3 | |
廈門中芯晶研半導體有限公司
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經營模式: | 公司類型: | |
所屬行業:分立半導體 | 主要客戶: | |
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聯系人:周 (小姐) | 手機:15306096621 |
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郵箱:vp@honestgroup.cn | 地址: |
可提供不同尺寸厚度、不同質量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據導電類型,碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數僅供參考: ![]() ![]() 1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規格 ![]() ![]() 2. 碳化硅半導體材料特性 ![]() 3. 碳化硅襯底片應用 ![]() 更多產品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn ![]() ![]() ![]() |
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