場效應管廣泛使用在模擬電路中與數字電路中，和我們的生活密不可分。場效應管的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。場效應管需要的驅動電流比BJT則小得多，而且通�？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅動電路；某次場效應管的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外場效應管沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性能。場效應管已經得到了大量應用，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。

惠海半導體MOS管采用SGT工藝，性能優越，品質好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、低溫升、高轉換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關損耗小等的優點。
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MOS管型號：HG6025D
參數：60V70A（70N06）
內阻：8mR（VGS=10V）
結電容：650pF
類型：SGT工藝NMOS
開啟電壓：1.8V
封裝：DFN3333

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