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              供應二極管電器元件電子元器件單片機電線電纜D觸發器三極管光電器件智能產品母座芯片溫度傳感器
              供應二極管電器元件電子元器件單片機電線電纜D觸發器三極管光電器件智能產品母座芯片溫度傳感器 價格:0.0880  元(人民幣) 產地:廣東省深圳市
              最少起訂量:1 發貨地:廣東省深圳市
              上架時間:2025-03-05 06:36:41 瀏覽量:6
              深圳市華裕輝電子有限公司  
              經營模式:貿易公司 公司類型:私營有限責任公司
              所屬行業:場效應管 主要客戶:終端
                在線咨詢 跟我QQ洽談

              聯系方式

              聯系人:蔡少濱 (先生) 手機:13480632341
              電話: 傳真:
              郵箱:szhuayuhui@163.com 地址:深圳市福田區新亞洲電子市場二期N1B028

              詳細介紹

              產品參數
              品牌ST
              封裝SOP-8
              批號20
              數量960
              描述MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
              濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
              詳細描述表面貼裝型-N-通道-30V-9A(Tc)-2.5W(Tc
              數據列表STS9NF30L;
              標準包裝2
              500
              包裝標準卷帶
              零件狀態停產
              產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單個
              系列STripFET? II
              其它名稱497-3234-2
              FET 類型N 通道
              技術MOSFET(金屬氧化物)
              漏源電壓(Vdss)30V
              Vgs(最大值)±18V
              功率耗散(最大值)2.5W(Tc)
              工作溫度150°C(TJ)
              安裝類型表面貼裝型
              供應商器件封裝8-SO
              封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
              可售賣地全國
              類型分立半導體產品
              型號STS9NF30L


              技術參數

              品牌:ST
              型號:STS9NF30L
              封裝:SOP-8
              批號:20
              數量:960
              描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
              對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
              濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
              詳細描述:表面貼裝型-N-通道-30V-9A(Tc)-2.5W(Tc)-8-SO
              數據列表:STS9NF30L;
              標準包裝:2,500
              包裝:標準卷帶
              零件狀態:停產
              類別:分立半導體產品
              產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
              系列:STripFET? II
              其它名稱:497-3234-2
              FET 類型:N 通道
              技術:MOSFET(金屬氧化物)
              漏源電壓(Vdss):30V
              電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc)
              驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
              不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 4.5A,10V
              不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
              不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.5nC @ 4.5V
              Vgs(最大值):±18V
              不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):730pF @ 25V
              FET 功能:-
              功率耗散(最大值):2.5W(Tc)
              工作溫度:150°C(TJ)
              安裝類型:表面貼裝型
              供應商器件封裝:8-SO
              封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

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