2英寸磷化銦晶圓規格書

材質：VFG垂直梯度凝固法生長磷化銦晶體
晶向： ± 0.1°
導電類型：N型，硫（S）摻雜
電阻率：(0.5~2.5)*10^-3 ohm.cm
遷移率：1000~2500
載流子濃度： (0.8-8)*10^18
直徑：50.8 ± 0.2mm
厚度：350 ± 25mm
主定位邊：US/EJ
次定位邊：US/EJ
表面：單面拋光
TTV≤10 um
BOW≤15 um
WARP≤20 um
包裝：單片卡塞盒裝

* 磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導體材料，其具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高、禁帶寬度高等諸多優點，磷化銦具有閃鋅礦型晶體結構，禁帶寬度為1.34eV，常溫下遷移率為3000—4500 cm2 /(V.S)，被廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽電池等領域。以上的材料屬性，使用磷化銦襯底制造的半導體器件，因其特殊的材料特性，被廣泛應用于生產射頻器件、光模塊、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探測器、傳感器、太空太陽能電池等器件，在5G通信、數據中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設備、航天等領域具有廣闊的應用空間。

* 磷化銦半導體材料具有寬禁帶結構，并且電子在通過InP 材料時速度快，因此利用磷化銦芯片制造的衛星信號接收機和放大器可以工作在100GHz以上的極高頻率，并且有很寬的帶寬，受外界影響較小，穩定性很高。因此，磷化銦是一種比砷化鎵更先進的半導體材料, 有可能推動衛星通信業向更高頻段發展。