H3B模擬磁場變送器描述
H3B是SENIS模擬磁場變送器，帶有離散3軸霍爾探頭，可以測量磁場的三個分量（Bx、By、Bz）。

霍爾探頭集成了三個具有良好角度精度的高分辨率離散霍爾傳感器（正交性誤差<2°）和溫度傳感器。

模塊E為霍爾探頭供電，通過使用旋轉電流技術從而減少偏移、低頻噪聲和平面霍爾效應。電子模塊內霍爾探頭輸出信號的附加調節包括霍爾信號放大、高線性化、溫度變化補償和頻率帶寬限制。

H3B模擬磁場變送器的輸出可在模塊E的連接器CoS處獲得：
?與磁通密度的所有三個測量分量（Bx、By、Bz）成比例的高電平差分電壓，
?與霍爾傳感器的實際溫度成比例的參考電壓。

H3B模擬磁場變送器主要特點：

? 混合三軸霍爾探頭（Bx、By、Bz），使用一個、兩個或三個通道
? 超低噪聲和低偏移波動磁場傳感器，實現非常高的分辨率測量（噪聲頻譜密度低至10nT/）
? 線性度非常好
? 基于大幅度改進的偏移和降噪技術的磁場變送器
? 極低的平面霍爾電壓
? 用于溫度補償的探頭中的溫度傳感器
? 可提供各種霍爾探頭幾何形狀/尺寸

H3B模擬磁場變送器典型應用：
?繪制磁場
?波蕩器系統的特性
?電流感應
?在實驗室和生產線上的應用
?磁體系統（發電機、電機等）的質量控制和監測。