富士IGBT模塊6MBI15S-120-02現貨銷售庫存充足-中國PLC網

富士IGBT模塊6MBI15S-120-02現貨銷售庫存充足

	價格：385.00 元(人民幣)	產地：上海上海
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	上架時間：2023-10-25 19:27:13	瀏覽量：48
	上海菲茲電子科技有限公司
	經營模式：貿易公司	公司類型：股份有限公司
	所屬行業：二極管	主要客戶：中冶南方（武漢）自動化有限公司
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詳細介紹

產品參數
品牌	富士
系列	IGBT系列
封裝	標準封裝
批號	new
可控硅類型	硅(si)
種類	化合物半導體
數量	9999
可售賣地	全國

IGBT硅片的結構與功率MOSFET?的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P ?基片和一個N ?緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件�；膽迷诠荏w的P 和?N ?區之間創建了一個J1結。?當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時，一個N溝道形成，同時出現一個電子流，并完全按照功率?MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內，那么，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區內，并調整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導通的總損耗，并啟動了第二個電荷流。后的結果是，在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：一個電子流(MOSFET?電流)；?一個空穴電流(雙極)。

器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P 和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel?region）。而在漏區另一側的P 區稱為漏注入區（Drain?injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極（即集電極C）

動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。
IGBT?的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT?處于導通態時，由于它的PNP?晶體管為寬基區晶體管，所以其B?值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET?的電流成為IGBT?總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on)?可用下式表示
Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh
式中Uj1?——?JI?結的正向電壓，其值為0.7?～1V?；Udr?——擴展電阻Rdr?上的壓降；Roh?——溝道電阻

IGBT?的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
IGBT?的伏安特性是指以柵源電壓Ugs?為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs?的控制，Ugs?越高，?Id?越大。它與GTR?的輸出特性相似．也可分為飽和區1?、放大區2?和擊穿特性3?部分。在截止狀態下的IGBT?，正向電壓由J2?結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N 緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N 緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT?的某些應用范圍。

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