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              IPP60R125P6集成電路(IC)INFINEON封裝TO-220批次18
              IPP60R125P6集成電路(IC)INFINEON封裝TO-220批次18 價格:1.0000  元(人民幣) 產地:廣東深圳
              最少起訂量:1 發貨地:廣東深圳
              上架時間:2023-10-07 20:11:30 瀏覽量:44
              深圳市云瑞爾電子科技發展有限公司  
              經營模式:代理商 公司類型:私營獨資企業
              所屬行業:代理 主要客戶:新能源/安防/醫療設備/POS機/研究所
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              聯系方式

              聯系人:李慧 (小姐) 手機:13322939096
              電話: 傳真:
              郵箱:yunruier22921778@126.com 地址:深圳市福田區上步工業區501棟301

              詳細介紹

              產品參數
              品牌INFINEON
              封裝TO-220
              批次18
              數量211
              制造商Infineon
              產品種類MOSFET
              RoHS
              安裝風格Through Hole
              封裝 / 箱體TO-220-3
              通道數量1 Channel
              晶體管極性N-Channel
              Vds-漏源極擊穿電壓600 V
              Id-連續漏極電流30 A
              Rds On-漏源導通電阻113 mOhms
              Vgs - 柵極-源極電壓20 V
              Vgs th-柵源極閾值電壓3.5 V
              Qg-柵極電荷56 nC
              最小工作溫度- 55 C
              最大工作溫度 150 C
              Pd-功率耗散219 W
              配置Single
              通道模式Enhancement
              高度15.65 mm
              長度10 mm
              系列CoolMOS P6
              晶體管類型1 N-Channel
              寬度4.4 mm
              下降時間5 ns
              上升時間9 ns
              典型關閉延遲時間44 ns
              典型接通延遲時間14 ns
              單位重量6 g
              可售賣地全國
              型號IPP60R125P6


              技術參數

              品牌:INFINEON
              型號:IPP60R125P6
              封裝:TO-220
              批次:18
              數量:211
              制造商:Infineon
              產品種類:MOSFET
              RoHS:
              安裝風格:Through Hole
              封裝 / 箱體:TO-220-3
              通道數量:1 Channel
              晶體管極性:N-Channel
              Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
              Id-連續漏極電流:30 A
              Rds On-漏源導通電阻:113 mOhms
              Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
              Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
              Qg-柵極電荷:56 nC
              最小工作溫度:- 55 C
              最大工作溫度: 150 C
              Pd-功率耗散:219 W
              配置:Single
              通道模式:Enhancement
              高度:15.65 mm
              長度:10 mm
              系列:CoolMOS P6
              晶體管類型:1 N-Channel
              寬度:4.4 mm
              下降時間:5 ns
              上升時間:9 ns
              典型關閉延遲時間:44 ns
              典型接通延遲時間:14 ns
              單位重量:6 g

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