類別 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  系列 U-MOSVIII-H  包裝 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷帶    零件狀態 在售  FET 類型 N 通道  技術 MOSFET（金屬氧化物）  漏源電壓（Vdss） 80 V  25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 60A（Tc）  驅動電壓（Rds On，最小 Rds On） 10V  不同 Id、Vgs 時導通電阻（值） 4 毫歐 @ 30A，10V  不同 Id 時 Vgs(th)（值） 4V @ 1mA  不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值） 59 nC @ 10 V  Vgs（值） ±20V  不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值） 5300 pF @ 40 V  FET 功能 -  功率耗散（值） 1.6W（Ta），78W（Tc）  工作溫度 150°C（TJ）  安裝類型 表面貼裝型  供應商器件封裝 8-SOP Advance（5x5）  封裝/外殼 8-PowerVDFN