某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規則的納米結構 WO₃ 薄膜, 經過對比選擇, 采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設備鍍制 WO₃ 薄膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

氣體傳感器可以將被檢測氣體的種類、濃度等信息轉變為可測信號, 并將計算機與被檢測到的信號連接口相連接, 構成自動的監控、檢測系統. 氧化鎢薄膜可以吸附各種氣體, 從而導致薄膜的電阻或光學參數的變化, 常常應用于氣體傳感器領域.

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

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