日韓SiC半導體產能加速擴張

碳化硅(SiC)半導體的產能擴張正在加速。日本半導體廠商Rohm上周宣布，它已經在福岡千谷完成了只使用sic芯片的晶圓廠的建設，并開始投資設備。該計劃的目標是在2021年安裝設備，并在2022年開始運營。

SiC半導體的禁帶寬度是現有Si半導體的3倍以上，可以承受10倍高的電壓。SiC半導體開始被安裝在電動汽車逆變器、太陽能逆變器和工業設備中。

媒體還報道稱，韓國硅廠選擇SiC半導體作為其新的核心業務。這一決定似乎與LG集團最近加速的汽車電子業務擴張有關。據預測，韓國SiC芯片設計市場的規模將隨著大型企業的進入而擴大，而這一市場目前主要由中小企業占據。

目前，SIC半導體主要的跨國公司包括意法半導體、英飛凌和瑞薩。基于快速開關與SIC半導體的混合解決方案，英飛凌近年來已生產出數以百萬計的混合模塊，并被客戶安裝到太陽能及UPS等應用領域當中。

聯合SiC推出了一款基于其第四代SiC半導體平臺(而不是現有的650V產品)的750V產品，這款產品很可能被用于汽車市場。與第三代產品相比，新產品的單位面積Rds降低了18~60毫歐姆，輸出電容也有所降低。

采用這種技術，SiC芯片尺寸更小，電流值更高。SiC的采用預計將加速直流-直流轉換和板載充電、工業應用中的功率因數校正以及太陽能逆變器。韓國SiC相關企業包括rrfic和Metal Life，海外企業包括Cree、Veeco、STMicroelectronics和Rohm。

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