富士IGBT新型模塊著力于更高效的能源轉換

當今的電力電子市場正推動著緊湊、低損耗、高可靠性IGBT模塊的發展，以優化電力轉換系統。為此，各大IGBT廠商正在發力，積極開發新型IGBT模塊，提高實用性能。最近富士電氣開發了第7代x系列IGBT技術，該技術結合了增強的半導體芯片特性和改進的封裝結構。

 這種獨特的設計理念提高了IGBT性能并允許模塊能夠在175?C 條件下連續操作。有關資料顯示，富士電氣X系列雙XT模塊是第一個IGBT模塊，在一個62毫米X 150毫米2:1的封裝中實現800A-1200V額定值。

隨著全球人口的增長和經濟的高度繁榮，全球能源消耗正在穩步增長。傳統的煤、石油等這些能源被大量開采，但考慮到利用傳統的礦物燃料能源系統來滿足需求對環境的不利影響，許多國家正在利用可再生能源技術來滿足日益增長的能源需求。這方面，《巴黎氣候協定》已成為一個政策指引。

此外，對機動車輛電氣化的需求正在推動穩健、高效電力電子模塊的發展，各種各樣新能源電動汽車被制造并投放上路，以取代傳統汽柴油動力汽車。

為了支持這些應用所需的高效率功率轉換系統的開發，富士電氣開發了一種增強絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術。據稱該公司在IGBT新型模塊開發上，采用第7代技術結合創新改善溝柵IGBT結構和二極管(FWD)的內在特征，以改善和優化性能和提高效率。該模塊擁有更薄的AIN陶瓷基板，并優化了陶瓷燒結條件。

 了解更多IGBT模塊產品信息，請關注蘇州銀邦電子科技有限公司網站，專業提供當今市場各種主流品牌IGBT模塊產品，滿足您的需要。歡迎來電洽談合作。