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                YCM-200Z-9HY 電力儀表 興國文體局即將漲價
                發布者:facexh001  發布時間:2024-04-23 19:41:38
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                YCM-200Z-9HY 電力儀表 興國文體局即將漲價文章針對這兩類拓撲進行參數設計,選取三種功率器件方案:650V IGBT 650V Si MOSFET1200V SiC MOSFET,參考實際應用參數,利用PLECS平臺進行仿真分析,綜合對比三種功率器件在損耗、結溫、效率和成本等方面的特點與差異
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                為了實現控制單元的可互換性,ANSI C136.10標準為區域照明設備定義了一個通用平臺,能夠實現基于交流線電壓和3極連接的光控器的插座標準化,基于ANSI C136.10開發的標準接口,也逐漸成為了行業中的事實標準(如圖1)
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                以物流做譬喻,收件人看到的是一個大箱子,打開大箱子里面有一個大盒子,打開大盒子和防撞泡沫,里面還有一個小盒子,打開小盒子,才是收件人需要的鉆石,逐層堆疊工程技術路線在不同層之間的性能損耗,就相當于物流運輸中,為了防撞防摔而層層加出來的盒子箱子,一整套下來消耗的總資源里面,只有很小一部分是為了傳送用戶需要的
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                希望讀者們能在接下來的內容中,想一想半導體的制造技術是如何降低半導體成本,進而為計算機與智能手機的普及奠定基礎的 ※ 本文為外部專家對半導體ICT的見解,并不代表SK海力士的立場   
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                YCM-200Z-9HY 電力儀表 興國文體局即將漲價 “高效的超高壓功率轉換設備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導體 寬帶隙(WBG)半導體碳化硅(SiC)已經成熟成為電力電子的商業技術平臺,但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導體器件有可能實現更高電壓的電子設備 
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