2022年的第三季度，據相關機構統計，國內外共有44家自動駕駛企業在三季度完成了融資，其融資金額高達13.3億美元，其中四家企業獲得超1億美元的融資，美國自動駕駛出租車和班車初創公司May Mobility在7月更是完成了1.11億美元C輪融資，由日本SPARX集團旗下的Mirai Creation Fund II領投，東京海上控股、豐田通商、普利司通美洲、豐田風投、軟銀、上汽集團等機構跟投 SiC器件在漂移層的阻抗比硅器件低，因而不用調制電導率就能以MOSFET實現高耐壓與低阻抗，而且MOSFET不會產生尾電流，所以用SiC MOSFET替換IGBT時，能夠明顯減少開關損耗，而且SiC MOSFET的高頻特性更好，可以在IGBT不能工作的高頻開關條件下去驅動電路，從而減少電源模塊中電感的體積
” 碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導體市場中正在迅速普及，因為一些初的可靠性問題已經解決，并且價格水平已經達到了非常有吸引力的點 正如白皮書“結合使用 TI GaN FET 和 C2000#8482 實時 MCU 實現功率密集且高效的數字電源系統”中所討論的，效率的提高可以迅速減少財政支出，通過更小的散熱器減小解決方案尺寸，并減少溫室氣體排放 但是，為了實現這些好處，實現復雜的電源拓撲結構可能具有挑戰性，例如圖騰柱無橋功率因數校正（使用較少的無源耗能器件）或軟開關控制（例如零電壓開關和零電流開關）
