熱導率SiC的熱導率大約是Si的三倍,它將其他特性的優點相互聯系在一起 熱導率決定了熱量從半導體結到外部環境的傳遞速度 這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下運行,而Si通常限制在150°C 結合這三個優勢,系統設計者可以設計出更高效的產品,同時使其更小、更輕,終降低成本 本文將為大家論述下這個問題,并且提出一種超級實用的解決方案 運算放大器:如何為偏置電流提供直流回路 錯誤示范圖1中,一個電容串接在一個運算放大器的同相(+)輸入端 這種交流耦合是隔離輸入電壓( V I N ) 中的直流電壓的一種簡單方法,在高增益應用中尤為有用