MT-ZR5-6P(F) 過電壓保護器達州康復中心技改-PLC信息網

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MT-ZR5-6P(F) 過電壓保護器達州康復中心技改

發布者：facexh001 發布時間：2024-04-14 23:25:19

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在半導體行業中，功率器件創新的大動力和驅動力是提高功率轉換效率　在各種技術中，與硅（Si）和碳化硅（SiC）解決方案相比，氮化鎵（GaN）技術表現出大的性能優勢　具體而言，GaN場效應晶體管（FET）以較低的系統成本提供佳效率，同時使系統更輕、更小和更冷　
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有關完整設置詳情和其他重要信息，請訪問CN0548用戶指南　設備要求#9658　萬用表#9658　 EVAL-ADICUP3029#9658　 EVAL-CN0548-ARDZ#9658　臺式可變電源（例如Agilent e3631）#9658　
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圖4顯示了圖2所示電流環路解決方案的效率，其中5.5 VOUT輸出軌連接到LT8618的BIAS引腳　在100 mA滿載時，峰值效率達到87%，輸入為28 V，電感為82 μH　對于相同的28 V輸入，10 mA負載效率等于或高于77%，可以說更令人印象深刻　
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模塊壓接pin腳與PCB之間實現可靠連接，且保證低接觸電阻　減少產線安裝時間，提高生產效率，降低客戶生產成本　　 ▲圖8.功率模塊優點　從零件的數量來看，是沒有差異的，就是別人給你封裝好了，一旦巨大的量打上去，單管的設計就沒有優勢了　