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(1)、MOS場效應管是工作電壓控制部件，而晶體管是電流量控制部件。三極管耗損大，場效應晶體管耗損較小。

(2)、MOS場效應管是利用大部分自由電子導電性，而晶體管是既有大部分自由電子，也利用極少數自由電子導電性，一般來說成本低場所，一般運用的先考慮到用三極管，不好得話考慮到場效應晶體管。

(3)、有一些場效應管的源極和漏極能夠交換應用，柵壓也可正可負，協調能力比晶體管好。

(4)、MOS場效應管能在不大電流量和很低壓的標準下工作中，并且它的生產制造技術能夠很便捷地把許多場效應管集成化在一塊單晶硅片上，因而場效應管在規模性集成電路芯片中取得了普遍的運用。

(5)、場效應晶體管具備較高輸入電阻和低噪音等優勢，因此也被普遍使用于各類電子產品中。特別是在用場效應管做全部電子產品的輸入級，能夠得到 一般晶體管難以做到的特性。

(6)、MOS場效應管分為結型和絕緣層柵型兩類，其操縱基本原理全是一樣的。

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