Hakuto 離子蝕刻機 10IBE技術參數:
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基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
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樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
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離子源 |
16cm |
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均勻性 |
±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
該制造商采用的 Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數：
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
25.2 cm |
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直徑 |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
* 可選: 可調角度的支架
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 配的是 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蝕室的真空度.
其產品優勢:
1.結構緊湊但功能強大的渦輪泵，用于 N2 時的最高抽速可達 685 l/s
2.最佳真空性能，最低功耗
3.集成的帶 Profibus 的驅動電子裝置 TC 400
4.可在任何方向安裝
5.帶有集成型水冷系統以保證最大氣體流量
6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接
7.廣泛的配件擴展使用范圍
運行結果:
1. 經過 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 對碳化硅微納結構進行刻蝕, 以調控結構的線寬和深度, 使結構表面粗糙度由約106nm降低到11.8nm.
2. 碳化硅菲涅爾波帶片展現出良好的聚焦和成像效果.
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