傳統磁控濺射制備工藝存在一個突出的問題, 當離子能量較低時,在濺射沉積過程中會發生 “遮蔽效應”, 會使薄膜結構疏松, 產生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.

為提高制備薄膜的致密度, 減少結構缺陷, 提高耐蝕性能, 國內某光學薄膜制造商采用伯東 KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 用于磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP140 技術參數:

客戶采用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術在 304 不銹鋼和 P 型(100)晶向硅片上制備TiN納米薄膜.

推薦理由:

聚焦型射頻離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

運行結果：

1. 通過KRI 考夫曼聚焦型射頻離子源 RFICP140 濺射作用將優先形成的遮蔽效應, 制備的薄膜具有較高致密度.

2. 減少結構缺陷

3. 提高耐蝕性能

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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