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              PLC企業資訊
                伯東 KRI 離子源用于大口徑光學元件 KDP 晶體的濺射與刻蝕
                發布者:bdqysh  發布時間:2020-11-09 15:21:17

                為了滿足激光慣性約束核聚變對光學晶體磷酸二氫鉀(KDP)晶體所需的面形精度、表面質量的高要求, 對降低 KDP 晶體表面粗糙度和消除 KDP 晶體表面周期性刀痕, 某廠商采用離子源產生的離子束進行KDP晶體的沉積修正拋光.

                 

                該廠商采用雙離子源濺射沉積系統, 其中一個離子源采用伯東 KRI 聚焦射頻離子源 RFICP 380 對靶材進行濺射, 另一個離子源采用伯東 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 對樣品進行離子刻蝕.

                 

                其工作示意圖如下:

                 

                用于濺射的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數:

                射頻離子源型號

                RFICP 380

                Discharge 陽極

                射頻 RFICP

                離子束流

                >1500 mA

                離子動能

                100-1200 V

                柵極直徑

                30 cm Φ

                離子束

                聚焦

                流量

                15-50 sccm

                通氣

                Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

                典型壓力

                < 0.5m Torr

                長度

                39 cm

                直徑

                59 cm

                中和器

                LFN 2000

                 

                推薦理由:

                聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

                 

                用于刻蝕的 KRI 平行考夫曼離子源 KDC 100 技術參數:

                 離子源型號

                 離子源 KDC 100 

                Discharge

                DC 熱離子

                離子束流

                >400 mA

                離子動能

                100-1200 V

                柵極直徑

                12 cm Φ

                離子束

                平行

                流量

                2-20 sccm

                通氣

                Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

                典型壓力

                < 0.5m Torr

                長度

                23.5 cm

                直徑

                19.4 cm

                中和器

                燈絲

                * 可選: 可調角度的支架

                 

                推薦理由:

                使用 KRI 平行型射頻離子源 RFICP 100 可以準確、靈活地對樣品選定的區域進行刻蝕, 可以使大口徑光學元件 KDP 晶體表面更均勻

                 

                運行結果:

                1. 濺射沉積的KDP晶體表面的均勻性在5%以內, 刻蝕均勻性在5%以內

                2. 離子束刻蝕可以消除KDP晶體表面周期性刀痕

                3. KDP晶體表面粗糙度降低到1.5nm,達到了預期目的

                 

                伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

                 

                 

                若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:

                上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
                T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
                F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
                M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
                www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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