寧波中頻淬火加熱爐自動化專用機器
新型IG中頻淬火爐
鄭州中頻淬火設備性能特點:
1,控制電路板由計算機設計,單元電路組合,裝置性能,可靠,抗性強;
2．逆變啟動采用單高靈敏觸發電路,進一步加大了設備的啟動性能,使設備的啟動成功率達到;
3．元件布局協調合理,方便;
4．高度集成化電路方案,調試和操作都快捷,簡便,易學.
5．具有完善的過壓,過流,欠壓,缺水,缺相,限壓限流等保護,從而保證了設備的使用可靠性和工作性;
6．在零壓啟動的基礎上又加了自動掃頻重復啟動功能,電壓及電流環電路緊密跟蹤,設備啟動及停止,無電流沖擊.
鐘形殼內球道淬火設備
在研制等速萬向節中，萬向節鐘形殼中頻淬火后均產生不同程度的裂紋和變形，為了解決這個問題，我們對中頻淬火設備的感應器、冷卻劑和操作進行了改進，使鐘形殼中頻淬火的問題基本解決。
一、原中頻設備存在的問題
（1）使用原來的感應器，中頻護加熱一個工件需88S，由于工件上下往復運動，工件內腔表面紅熱不均。
（2）原冷卻劑濃度配比不當。經過多次實驗發現，冷卻劑濃度不同，造成加工工件的裂紋程度也不同。
（3）原中頻設備由人工操作，相同工件，相同工藝，人工操作的差異較大，對時間不準。
二、中頻淬火技術攻關的內容
中頻感應器的設計中頻感應加熱工件時間長，工件加熱不均，主要原因是加熱用的中頻電極只是一個圓環線圈給工件加熱。針對這一情況，我們重新設計一個雙環圓銅管加熱工件。新設計的中頻感應加熱器使加熱時間從原來的88S，到66S，裂紋也有所下降。
三分天下，有其一。南昌大學江風益團隊成功研發硅襯底技術使成為上繼日美之后第三個LED，LED自主知識產權技術的。這項高新技術和成功產業化，了2015年度技術發明獎一等獎。目前，南昌是全球實現硅襯底LED芯片量產的城市�；诖耍魇∮�2015年制定規劃，要把南昌打造成的光谷建成具有核心競爭力的LED，LED全產業鏈研發、制造和應用基地。硅襯底LED可以繞開五大LED廠商專利聯盟，讓產業命運完全在人自己手中。南昌市市長郭安說，南昌光谷不僅站到了全球產業的價值鏈頂端而且還有從外延片、芯片、封裝、應用等LED，LED全產業鏈優勢。業內人士認為，在產業全球化分工、兼并重組的浪潮下，南昌光谷如能戰略機遇，將有望重塑全球LED產業格局。雙創成功的典范被稱為光源的半導體發光二極管（簡稱LED）是綠色照明時代的革新。早在1962年LED就問世。正式作為照明光源，是1993年取得的突破，這項藍寶石襯底LED技術2014年諾貝爾獎。1995年，美國成功研發碳化硅襯底LED技術，2003年美國技術發明獎。本世紀初，我國LED上游產業幾乎空白，下游應用剛剛起步，功率型芯片全部依賴進口，日美技術霸占全球市場。為搶占新興產業先機，從十五開始，科技部率先支持LED技術和產業發展，成立半導體照明工程協調小組，LED技術競爭力。
韓立自然聽說過。