潔凈室氧化爐管使用操作方法

    一般潔凈室所採用之氧化爐管為Lenton LTF 1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區大於50cm，最高溫度可達1200C并可連續24hr，最大操作溫度為1150C，溫控方式採用PID微電腦自動溫度控制器。

目的

    將硅晶片曝露在高溫且含氧的環境中一段時間后，我們可以在硅晶片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。

注意:

＊ 在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。Switch在有電源供應時【l】將會發光，而氧化爐也將開始加熱。

＊ 如果過溫保護裝置是好的，請確定警報點的設定於目前的使用過程中為恰當地。如果過熱保護裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制操作中有警報一致的程序。

＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過3C per min。

＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當的使用絕緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。

＊ 在操作氧化爐時不要在最大溫度下關閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。

操作步驟:

1.    檢查前一次操作是否有異常問題發生，并填寫操作記錄。

2.    檢查機臺狀態

(1) 控制面板狀態：使用前先確定【HEAT】Switch設定為【O】關閉的狀態。

(2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400C，前后段爐溫差40C。

(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。

3.    將晶片緩慢的推入爐管內。

4.    打開墻上H2、O2之開關和機房的氣瓶調壓閥。

5.    設定預設氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。

6.    按下【HEAT】Switch 為【l】，此時爐溫將從恒溫(400C)慢慢加熱至標準製程溫度1100C，昇溫速率最大不能超過3C per min。

7.    待爐溫降至恒溫后將晶片取出。

8.    關閉H2、O2 。

9.    關閉爐管后端H2之開關及墻上之開關和機房的氣瓶調壓閥。

10. 檢查爐管是否完成關機動作。

11. 填寫操作記錄之終了時間和異常保護及說明。

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